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Product data sheet Rev. 02 — 31 August 2004 3 of 7
Philips Semiconductors
BAT18
Silicon planar diode
(1) Tj
= 60
°C; typical values.
(2) Tj
= 25
°
C; typical values.
(3) Tj
= 25
°C; maximum values.
VR
= 20 V.
(1) maximum values.
(2) typical values.
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage.
Fig 2. Reverse current as a function of junction
temperature.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°
C. f = 200 MHz; Tj
= 25
°
C.
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
Fig 4. Diode forward resistance as a function of
forward current; typical values.
001aab165
VF
(V)
0.3 1.50.7
1.1
40
60
20
80
100
IF
(mA)
0
(1) (2) (3)
001aab166
102
1
10
104
103
105
IR
(nA)
10?1
0 16040 80
120
Tj
(
°C)
(1)
(2)
VR
(V)
0.5
10-1
102
10
1
001aab167
0.9
1.1
0.7
1.3
1.5
Cd
(pF)
2
0
102
001aab168
10
1
1
rD
(Ω)
IF
(mA)
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